NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H227
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应用
低频功率放大器。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………400mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………30V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………25V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current……………………………………300mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
30
25
5
70
0.14
400
0.4
100
100
V
V
V
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=50mA
I
C
= 300毫安，我
B
=30mA
V
CB
= 25V ，我
E
=0
V
EB
= 3V ，我
C
=0
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
V
nA
nA
辐射源
截止电流
█
h
FE
分类
O
70—140
Y
120—240
G
200—400
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
