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H237 参数 Datasheet PDF下载

H237图片预览
型号: H237
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 506 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号H237的Datasheet PDF文件第2页  
N
PN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
开关和放大器。
H237
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
Tstg- - 存储温度-55 .............................. 〜150 ℃
牛逼J- - J油膏牛逼emperature ...
… … … … … … … … …
15 0
PC- - 集电极耗散500mW的..............................
VCBO- - 集电极 - 基极电压50V ..............................
VCEO- - 集电极 - 发射极电压45V ..............................
VEBO - - 发射极 - 基极电压...
… … … … … …………
6 V
我C- - C Ø L L权证吨Ø R C ü R R简吨
… … … … … … … … … …
100mA
TO-92
1 ?收藏家,
C
2 ?基地B
3-发射器ê
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE
 
45 
6 
120 
 
 
 
 
 
 
0.2 
 
 
800 
0.6 
V 
V 
 
V 
V 
V 
V 
V 
I
C
= 2毫安, I = 0时
B
I
E
=1μA,I
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=2mA 
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA 
I
C
= 100mA时我
B
=5mA 
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA 
I
C
= 100mA时我
B
=5mA 
V
CE
= 5V ,我
C
=2mA
直流电流增益
V
CE(sat1)
 
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
 
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE(sat1)
 
基射极饱和电压
V
BE(sat2)
 
基射极饱和电压
V
BE(上)
I
CES
f
t(1)
f
t(2)
COB
C�½��½� 
NF
基射极电压上
集电极截止电流
电流增益带宽积
电流增益带宽积
0.07  0.2 
0.73  0.83 
 
0.87  1.05 
0.55  0.62  0.7 
 
 
150 
 
 
 
0.2 
85 
250 
3.5 
8 
2 
15 
 
 
6 
 
10 
�½�A 
V
CE
=50V, V
BE
=0
MH�½� 
V
CE
= 3V ,我
C
= 0.5毫安中,f = 100MHz的
MH�½� 
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
�½�F 
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
�½�F  V
EB
=0.5V,I
=0,�½�=1MH�½�
V = 5V ,我
C
=0.2mA,
�½�B 
CE
f=1KHz,R
G
=2KΩ
输出电容
输入电容
噪声系数
h
FE
分类
A
B
   180—460 
 
GR
     380—800   
 
 
    120—220