NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
开关和Aamplifier应用。
H238
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CES
--Collector-
发射极电压30V ....................................
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………25V
V
E B Ø
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
Current………………………………………100mA
TO-92
1―Collector，
C
2―Base，B
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CES
H
FE
２５
５
１２０
１５０
０．２
０．２
１５
８００
０．６
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｉ
Ｃ
＝２�½�Ａ，Ｉ
Ｂ
＝０
Ｉ
Ｅ
＝１μＡ，Ｉ
Ｃ
＝０
Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝２�½�Ａ
Ｉ
Ｃ
＝１０�½�Ａ， Ｉ
Ｂ
＝０．５�½�Ａ
Ｉ
Ｃ
＝１００�½�Ａ， Ｉ
Ｂ
＝５�½�Ａ
Ｉ
Ｃ
＝１０�½�Ａ， Ｉ
Ｂ
＝０．５�½�Ａ
Ｉ
Ｃ
＝１００�½�Ａ， Ｉ
Ｂ
＝５�½�Ａ
Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝２�½�Ａ
集电极截止电流
直流电流增益
�½�Ａ Ｖ
ＣＥ
＝３０Ｖ，Ｖ
ＢＥ
＝０
V
CE(sat1)
集电极 - 发射Saturatio N个电压
V
CE(sat2)
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE(sat1)
基射极饱和电压
V
BE(sat2)
基射极饱和电压
V
BE（上）
f
T(1)
f
T(2)
COB
NF
基射极电压上
电流增益带宽积
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
０．０７ ０．２
０．７３ ０．８３
０．８７ １．０５
８５
２５０
３．５
２
６
１０
０．５５ ０．６２ ０．７
ＭＨ�½� Ｖ
ＣＥ
＝３Ｖ，Ｉ
Ｃ
＝０．５�½�Ａ，
�½�＝１００ＭＨ�½�
ＭＨ�½� Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ，Ｉ
Ｃ
＝１０�½�Ａ，�½�＝１００ＭＨ�½�
�½�Ｆ Ｖ
ＣＢ
＝１０Ｖ，Ｉ
Ｅ
＝０，�½�＝１ＭＨ�½�
�½�Ｂ
Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ，Ｉ
Ｃ
＝０．２�½�Ａ，
�½�＝１ＫＨ�½�，Ｒ
Ｇ
＝２ＫO
█
h
FE
分类
Ａ
Ｂ
Ｃ
380—800
120—220
180—460
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
