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H2907A 参数 Datasheet PDF下载

H2907A图片预览
型号: H2907A
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 245 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号H2907A的Datasheet PDF文件第2页  
PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
一般工业用途。
切换应用程序
H2907A
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-60V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-600mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
H
FE(2)
H
FE(3)
-60 
-60 
-5 
 
75 
100 
50 
 
 
 
 
200 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
-10 
 
300 
 
-0.4 
-1.6 
-1.3 
-2.6 
 
8 
V 
V 
V 
 
 
 
V 
V 
V 
V 
I
C
=-10μA,
I
C
=-10mA,
I
E
=0
I =0 
B
I
E
=-10μA,I
C
=0
�½�A 
V
CB
= -50V ,我
E
=0
V
CE
= -10V ,我
C
=-0.1mA 
V
CE
= -10V ,我
C
=-150mA
V
CE
= -10V ,我
C
=-500mA
I
C
= -150mA ,我
B
=-15mA 
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -150mA ,我
B
=-15mA 
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
H
FE(1)
 
直流电流增益
V
CE(sat1)
 
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
 
基射极饱和电压
V
BE(sat2)
f
T
COB
t
ON
t
D
t
R
t
关闭
t
英镑
t
F
电流增益带宽积
输出电容
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
MH�½� 
V
CE
=-20V,I
C
=-50mA,
f=100MH�½�
�½�F 
V
CB
= -10V ,我
E
=0,f=1MH�½�
Vcc=-30V
45  �½�S 
Ic=-150mA
10  �½�S 
I
B1
=-15mA
40  �½�S 
Vcc=-6V
100  �½�S 
Ic=-150mA
80  �½�S 
I
B1
=I
B2
=-15mA
30  �½�S