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H3202 参数 Datasheet PDF下载

H3202图片预览
型号: H3202
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 243 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
通用和开关应用..
H3202
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………35V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………30V
V
E B Ø
② :辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
Current………………………………………500mA
I
B
内部BASE
Current……………………………………………100mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE(1)
 
H
FE(2)
 
V
CE ( SAT )
 
V
BE(上)
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
35 
30 
5 
70 
25 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
0.1 
0.8 
 
 
300 
7.0 
 
 
 
240 
 
0.25 
1.0 
100 
V 
V 
V 
 
 
V 
V 
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时, I = 0
B
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA 
V
CE
= 6V ,我
C
=400mA 
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
 
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
100 
 
MH�½� 
V
CE
= 6V ,我
C
=20mA
 
�½�F 
V
CB
= 6V ,我
E
=0,f=1MH�½�
�½�A 
V
CB
= 35V ,我
E
=0
�½�A 
V
EB
= 5V ,我
C
=0
h
FE
分类
O
 
 
    
 
  70—140   
            
Y
   120—240