NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
高电流的应用。
H3203
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………35V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………���……………30V
V
E B Ø
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
当前
……………………………………
800mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
３５
３０
５
１００
３５
０５
１２０
１３
３２０
０．５
０．８
１００
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
=1mA，I
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
=700mA
I
C
= 500毫安，我
B
=20mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
H
FE（1）
直流电流增益
H
FE（2）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
V
BE
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
１００
ＭＨ�½�
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
�½�Ｆ
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=1ＭＨ�½�
�½�Ａ
V
CB
= 35V ，我
E
=0
�½�Ａ
V
EB
= 5V ，我
C
=0
█
H
FE
分类
O
１００—２００
Y
１６０—３２０
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
