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H3619 参数 Datasheet PDF下载

H3619图片预览
型号: H3619
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 107 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
H3619
应用
高压开关和放大器。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散
c
=25℃)
(T
……………………
1.5W
V
CBO
--Collector -基地
电压300V ..............................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 300V
V
EBO
--Emitter -基地
电压7V ....................................
I
C
--Collector
Current……………………………………100mA
Ib——Base Current…��……………………………………50mA
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-126ML
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
1.0
1.0
20
30
200
1.0
1.0
50
30
μA
μA
V
CB
= 240V ,我
E
=0
V
EB
= 7V ,我
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=4mA
V
CE
= 10V ,我
C
=20mA
发射极截止电流
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
直流电流增益
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
基射极饱和电压
f
t
COB
电流增益带宽积
V
V
兆赫
pF
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
V
CE
= 10V ,我
C
=20mA,
V
CB
= 20V ,我
E
=0,f=1MHz
输出电容