欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

H380TM 参数 Datasheet PDF下载

H380TM图片预览
型号: H380TM
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 243 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
高频放大器的应用
.
H380TM
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………35V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………30V
V
E B Ø
② :辐射源
基极电压连续.................................... 4V
I
C
--Collector
Current…………………………………………50mA
I
E
② :辐射源
Current…………………………………………-50mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE
 
V
CE ( SAT )
 
V
BE ( SAT )
 
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
35 
30 
4 
40 
 
 
 
 
100 
1.4 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.0 
 
 
 
240 
0.4 
1.0 
0.1 
V 
V 
V 
 
V 
V 
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0 
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CE
= 12V,我
C
=2mA 
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
 
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA 
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
1.0 
400  MH�½� 
V
CE
= 10V ,我
C
=1mA
3.2  �½�F 
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MH�½�
μA 
V
CB
= 35V ,我
E
=0
μA 
V
EB
= 4V ,我
C
=0
h
FE
分类
R
 
 
 
    
40—80  
 
 
O
  70—140   
 
Y
120—240