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H3906 参数 Datasheet PDF下载

H3906图片预览
型号: H3906
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 62 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
PN P S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H3906
应用
小信号放大器
高¡
高频振荡器;开关应用。
(补充H3904 )
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-40V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current………………………………………-200mA
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,C
TO-92
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
-40
-40
-5
-0.1
-0.1
350
-0.25
-0.85
V
V
V
μA
μA
V
V
兆赫
70
f
T
300
I
C
=-100μA,I
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-10μA,I
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
V
CE
= -20V ,我
C
=-10mA
f=100MHz
h
FE
分类
A
70—240
B
220—350