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H3950图片预览
型号: H3950
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 112 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
H3950
应用
高清晰度阴极射线管显示器的视频输出,宽频带放大器。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
C
=25℃)…………………… 5W
P
C
--Collector
耗散(T
A
=25℃)………………… 1.3W
V
CBO
--Collector -基地
..............................电压30V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压20V ...........................
V
EBO
--Emitter -基地
电压3V ....................................
I
C
--Collector
Current……………………………………500mA
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-126ML
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
集电极截止电流
发射极截止电流
40
20
0.3
0.9
2.0
6.0
0.1
5
200
0.8
1.2
μA
μA
V
CB
= 20V ,我
E
=0
V
EB
= 2V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=50mA
V
CE
= 5V ,我
C
=500mA
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
直流电流增益
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
基射极饱和电压
f
T
COB
电流增益带宽积
输出电容
V
V
GHz的
pF
I
C
= 300毫安,我
B
=30mA
I
C
= 300毫安,我
B
=30mA
V
CE
=5V,I
C
=100mA,
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
h
FE
分类
C
40—80
D
60—120
E
100—200