NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
AF放大器，各种驱动程序。
H4204
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………600mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………30V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………25V
V
E B Ø
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 15V
I
C
--Collector
Current………………………………………700mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
t
ON
t
英镑
t
F
３０
２５
１５
８００
６００
０．１５
０．９
２７０
９
０．１
０．６
０．０６
０．５
１．２
１００
１００
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
=10μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
V
CE
= 5V ，我
C
=500mA
I
C
= 500毫安，我
B
=10mA
I
C
= 500毫安，我
B
=10mA
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
１５００ ３２００
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
开启时间
存储
下降时间
时间
�½�Ａ
V
CB
= 20V ，我
E
=0
�½�Ａ
V
EB
= 10V ，我
C
=0
ＭＨ�½�
V
CE
=10V,I
C
=50mA，
�½�Ｆ
V
CB
=10V,f=1ＭＨ�½�
μＳ
请参阅特定网络版测试电路
μＳ
请参阅特定网络版测试电路
μＳ
请参阅特定网络版测试电路
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