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H421 参数 Datasheet PDF下载

H421图片预览
型号: H421
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 103 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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P N P S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H421
应用
B类中的彩色电视视频输出级和
专业显示器设备
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………830mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-300V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-300V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current………………………………………-50mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CER
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
-300
-300
-5
-10
-10
50
-0.6
60
1.6
V
V
V
μA
μA
V
pF
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,R
BE
=2.7KΩ
I
E
=-10μA,I
C
=0
V
CE
= -200V ,R
BE
=2.7Ω
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -20V ,我
C
=-25mA
I
C
= -30mA ,我
B
=-5mA
V
CB
= -30V ,我
C
=0,f=1MHz
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
f
T
COB
兆赫
V
CE
= -10V ,我
C
=-10mA