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汕头华汕电子器件有限公司。
H5401
█
晶体管放大器
集电极 - 发射极电压： VCEO = 150V 。
集电极耗散：PC （最大值） = 625mW
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-160V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-150V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current………………………………………-600mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE（1）
H
FE（2）
H
FE（3）
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
V
BE(sat2)
f
T
-160
-150
-5
-50
-50
30
60
50
280
-0.2
-0.5
-1
-1
V
V
V
nA
nA
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
=-10μA，I
C
=0
V
CB
= -120V ，我
E
=0
V
EB
= -3V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-50mA
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
V
V
V
兆赫
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA,
V
CE
= -10V ，我
C
=-10mA
F=100MHz
电流增益带宽积
100
400
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
