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H547 参数 Datasheet PDF下载

H547图片预览
型号: H547
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 84 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
N P N S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H547
开关和放大器
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………45V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………6V
I
C
--Collector
Current……………………………………100mA
1―Collector,
C
2―Base,B
3―Emitter,E
TO-92
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
H
FE(1)
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
V
BE(sat2)
V
BE(ON1)
V
BE(ON2)
f
T
NF
15
110
90
200
0.7
0.9
580
660
300
2
10
700
720
800
250
600
nA
mV
mV
V
V
mV
mV
兆赫
dB
V
CB
= 30V ,我
E
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=2mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA
I
C
= 100mA时我
B
=5mA
V
CE
= 5V ,我
C
=2mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=10mA
V
CE
= 5V ,我
C
=200μA
f=1KHz,Rg=2KΩ
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
噪声系数
h
FE
分类
A
110—220
B
200—450
C
420—800