NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
开关和应用。
H549
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CBO
--Collector -基地
电压
………………………………30V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………30V
V
E B Ø
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 5V
I
C
--Collector
Current………………………………………100mA
TO-92
1―Collector，
C
2―Base，B
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
H
FE
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
３０
３０
５
１１０
５８０
９０
２００
０．７
０．９
６６０
３００
２．５
１．２
１５
８００
２５０
６００
１
１．２
７００
４
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
= 100μA ，我
E
=0
Ｉ
Ｃ
＝１�½�Ａ，Ｉ
Ｂ
＝０
Ｉ
Ｅ
＝１�½�Ａ，Ｉ
Ｃ
＝０
Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝２�½�Ａ
集电极截止电流
直流电流增益
�½�Ａ
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
CE(sat1)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
基射极饱和电压
V
BE(sat2)
V
BE（上）
f
T
COB
NF
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
�½�Ｖ Ｉ
Ｃ
＝１０�½�Ａ， Ｉ
Ｂ
＝０．５�½�Ａ
�½�Ｖ Ｉ
Ｃ
＝１００�½�Ａ， Ｉ
Ｂ
＝５�½�Ａ
Ｖ
Ｖ
Ｉ
Ｃ
＝１０�½�Ａ， Ｉ
Ｂ
＝０．５�½�Ａ
Ｉ
Ｃ
＝１００�½�Ａ， Ｉ
Ｂ
＝５�½�Ａ
�½�Ｖ Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ， Ｉ
Ｃ
＝２�½�Ａ
ＭＨ�½� Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ，Ｉ
Ｃ
＝１０�½�Ａ
�½�Ｆ Ｖ
ＣＢ
＝１０Ｖ，Ｉ
Ｅ
＝０，�½�＝１ＭＨ�½�
�½�Ｂ
Ｖ
ＣＥ
＝５Ｖ，Ｉ
Ｃ
＝０．２�½�Ａ，
�½�＝１ＫＨ�½�，Ｒ
Ｇ
＝２ＫO
█
h
FE
分类
Ａ
Ｂ
Ｃ
420—800
110—220
200—450
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
