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汕头华汕电子器件有限公司。
H5551
█
晶体管放大器
集电极 - 发射极电压： VCEO = 160V 。
CollectorDissipation ：电脑（最大值） = 625mW
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………180V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………160V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………6V
I
C
--Collector
Current………………………………………600mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE（1）
H
FE（2）
H
FE（3）
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
V
BE(sat2)
180
160
6
50
50
80
80
30
280
0.15
0.2
1
1
V
V
V
nA
nA
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CB
= 120V ，我
E
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=1mA
V
CE
= 5V ，我
C
=10mA
V
CE
= 5V ，我
C
=50mA
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
V
V
V
兆赫
I
C
= 10毫安，我
B
=-1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA,
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
F=100MHz
f
T
电流增益带宽积
100
300
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
