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H556 参数 Datasheet PDF下载

H556图片预览
型号: H556
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 81 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
P N P S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H556
开关和放大器
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-80V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-65V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-100mA
1―Collector,
C
2―Base,B
3―Emitter,E
TO-92
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
H
FE
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
V
BE(sat2)
V
BE(上)
-15
110
-90
-250
-0.7
-0.9
-600
-660
150
2
10
-750
800
-300
-650
nA
mV
mV
V
V
mV
兆赫
dB
V
CB
= -30V ,我
E
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-0.5mA
I
C
= -100mA ,我
B
=-5mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-2mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-10mA
f=100MHz
V
CE
= -5V ,我
C
=-200μA
f=1KHz,Rg=2KΩ
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
噪声系数
f
T
N
F
h
FE
分类
A
110—220
B
200—450
C
420—800