PNP硅晶体管
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
开关和放大器
H558
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-30V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-30V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-100mA
TO-92
1―Collector，
C
2―Base，B
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
H
FE
V
CE(sat2)
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
直流电流增益
－３０
－３０
－５
１１０
－１５
８００
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -10mA ，我
B
=0
I
E
=-100μA，I
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-2mA
�½�Ａ
V
CB
= -30V ，我
E
=0
V
CE(sat1)
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE(sat1)
基射极饱和电压
V
BE(sat2)
V
BE(ON1)
基射极电压上
V
BE(ON2)
－９０ －３００ �½�Ｖ
I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA
－２５０ －６５０ �½�Ｖ
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
－０．７
－０．９
Ｖ
Ｖ
I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-5mA
－６６０ －７５０ �½�Ｖ
V
CE
= -5V ，我
C
=-2mA
－８００ �½�Ｖ
V
CE
= -5V ，我
C
=-10mA
１５０
ＭＨ�½�
V
CE
=-5V,I
C
=-10mA,f=1MHz
６
�½�Ｆ
V
CB
= -10V ，我
E
=0，f=1MHz
f
T
COB
电流增益带宽积
输出电容
█
h
FE
分类
A
110—220
B
200—450
C
420—800
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
