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H5610图片预览
型号: H5610
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 107 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
PNP S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H5610
应用
音频放大
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………750mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-25V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-20V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage…………………���…………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-1A
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3-基地,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
COB
-25
-20
-5
-1
60
-0.2
-0.8
360
38
240
-0.5
1
V
V
V
μA
V
V
兆赫
pF
I
C
= -10μA ,我
E
=0
I
C
=-1mA,
I
B
=0
I
E
=-10μA,I
C
=0
V
CB
= -20V ,我
E
=0
V
CE
= -2V ,我
C
=-500mA
I
C
= -800mA ,我
B
=-80mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -2V ,我
C
=-500mA
V
CB
= -10V ,我
E
=0,
f=1MHz
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
h
FE
分类
A
60—120
B
85—170
C
120—240