PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
低频功率放大器
.
H562
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………500mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-35V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-30V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current………………………………………-500mA
I
E
② ：辐射源
Current………………………………………500mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，C
3-基地，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
７０
２５
１５０
－０．８
２００
１３
－１００
－１００
２４０
－１．０
�½�Ａ
V
CB
= -35V ，我
E
=0
�½�Ａ
V
EB
= -5V ，我
C
=0
Ｖ
Ｖ
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -6V ，我
C
=-400mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
辐射源
截止电流
H
FE（1）
直流电流增益
H
FE（2）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
COB
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
电流增益带宽积
－０．１ －０．２５
ＭＨ�½�
V
CE
= -6V ，我
C
=-20mA
�½�Ｆ
V
CB
= -6V ，我
E
=0，f=1ＭＨ�½�
输出电容
█
h
FE
分类
O
７０—１４０
Y
１２０—２４０
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
