NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H639
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应用
开关和放大器应用。
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………1W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………100V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………80V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current……………………………………………1A
IB - 基极电流................................................... 100毫安
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
H
FE（1）
H
FE（2）
H
FE（3）
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
EBO
f
T
80
25
40
25
0.5
1
100
100
100
250
V
I
C
=10mA,
I
E
=0
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
V
CE
= 2V ，我
C
=5mA
V
CE
= 2V ，我
C
=150mA
V
CE
= 2V ，我
C
=500mA
V
V
nA
nA
兆赫
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
V
CE
= 2V ，我
C
=500mA
V
CB
= 30V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安， F = 50MHz的
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
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