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H732TM 参数 Datasheet PDF下载

H732TM图片预览
型号: H732TM
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 111 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H732TM
应用
低噪声音频放大器应用
.
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………400mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current………………………………………150mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
COB
NF
NF
0.1
0.1
200
0.65
150
2.0
0.5
0.2
6
3
700
0.3
μA
μA
V
V
兆赫
pF
dB
dB
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
=2mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
V
CE
= 6V ,我
C
=2mA
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz
V
CE
= 6V ,我
C
=0.1mA
f=100Hz,Rg=10KΩ
V
CE
= 6V ,我
C
=0.1mA
f=1KHz,Rg=10KΩ
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
噪声系数
噪声系数
h
FE
分类
G
R
BL
350—700
200—400