PNP S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
在H733是专为AF放大器的驱动级
和低速切换。
H733
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………250mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-50V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-150mA
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
－６０
－５０
－５
９０
－０．５
１８０
４．５
６００
－０．３
－０．８
－１００
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
I
C
=-100μA,
I
C
=-10mA,
I
E
=0
I
B
=0
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
I
E
=-10μA，I
C
=0
V
CE
= -6V ，我
C
=-1mA
I
C
= -100mA ，我
B
=-10mA
V
CE
= -6V ，我
C
=-1mA
辐射源
截止电流
电流增益带宽积
输出电容
－１００
ＭＨ�½�
V
CE
= -6V ，我
C
=-10mA
�½�Ｆ
V
CB
= -10V ，我
E
=0，
f=1ＭＨ�½�
�½�Ａ
V
CB
= -60V ，我
E
=0
�½�Ａ
V
EB
= -5V ，我
C
=0
█
h
FE
分类
R
９０—１８０
Q
１３５—２７０
P
２００—４００
K
３００—６００
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
