汕头华汕电子器件有限公司。
H8550
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PNP外延硅晶体管
IN CLASS便携式收音机2W输出放大器
B PUSH - PULL操作。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………1W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-40V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-25V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-6V
I
C
--Collector
Current………………………………………-1.5A
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
TO-92
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
H
FE（2）
V
BE
V
BE （ SAT ）
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
COB
-0.1
-0.1
85
40
500
-1
-0.5
-1.2
-40
-25
-6
15
100
μA
μA
V
CB
= -35V ，我
E
=0
V
EB
= -6V ，我
C
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-800mA
H
FE（1）
直流电流增益
基地 - 发射极电压
基地 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
输出Capacacitance
电流增益带宽积
V
V
V
V
V
V
pF
V
CE
= -1V ，我
C
=-10mA
I
C
= -800mA ，我
B
=-80mA
I
C
=-800mA,I
B
=-80mA
I
C
=-100μA，I
E
=0
I
C
=-2mA，I
B
=0
I
E
=-100μA，I
C
=0
V
CB
=-10V,I
E
=0，
f=1MHz
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
f
T
兆赫V
CE
= -10V ，我
C
=-50mA
█
h
FE
分类
B
85—160
C
120—200
D
160—300
E
270—500
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
