PNP S I L I C 0 NT· R一种S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
H984
█
应用
低频功率放大器的应用。
“绝对
最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………600mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-50V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current………………………………………-500mA
（脉冲）
………………………………-800mA
I
CP
--Collector
当前
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
-60
-50
-5
-1.0
-1.0
60
35
-0.2
-0.9
120
5
320
-0.6
-1.2
V
V
V
μA
μA
I
C
= -10μA ，我
E
=0
I
C
=-1mA,
I
B
=0
I
E
=-10μA，I
C
=0
V
CB
= -40V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-50mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-400mA
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
V
兆赫
pF
I
C
= -400mA ，我
B
=-40mA
I
C
= -400mA ，我
B
=-40mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-10mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
输出电容
█
h
FE
分类
D
60—120
E
1200—200
F
160—320
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
