欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HA06 参数 Datasheet PDF下载

HA06图片预览
型号: HA06
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 107 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HA06
应用
通用放大器。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………80V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………80V
V
EB Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………4V
I
C
--Collector
Current……………………………………500mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
UNI
t
测试条件
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE ( SAT )
I
CBO
I
首席执行官
f
T
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
电流增益带宽积
80
4
50
50
0.25
1.2
100
100
100
V
V
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=10mA
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
V
nA
nA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 1V ,我
C
=100mA
V
CB
= 80V ,我
E
=0
V
CE
= 60V ,我
B
=0
V
BE(上)
基射极电压上
兆赫
V
CE
=20V,I
C
= 10毫安中,f = 100MHz的