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HA114E 参数 Datasheet PDF下载

HA114E图片预览
型号: HA114E
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 176 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HA114E的Datasheet PDF文件第2页  
P NP S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HA114E
开关电路,逆变器,
接口电路,驱动电路
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-50V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-10V
I
C
--Collector
Current……………………………………-100mA
1―Emitter,E
2―Collector,
C
3―Base,B
TO-92S
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
I
(关闭)
V
I
(上)
R1
R2/R1
f
T
-50
-50
-0.1
-0.5
-195
30
-0.1
-0.8
-1.0
7.0
0.8
-1.1
-2.0
10
1.0
250
-0.3
-1.5
-4.0
13
1.2
-250
-360
V
V
μA
μA
μA
V
V
V
千欧
兆赫
I
C
= -10μA ,我
E
=0
I
C
=-0.1mA,
I
B
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
CE
= -40V ,我
B
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-5mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-0.5mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.1mA
V
CE
= -0.2V ,我
C
=-10mA
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入过电压
输入电压
输入电阻
电阻率
电流增益带宽积
V
CE
= -10V ,我
C
=-5mA