PNP晶体管数字
汕头华汕电子器件有限公司。
HA114T
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应用
开关电路，接口电路。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-50V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current……………………………………-100mA
TO-92S
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
-50
-50
-5
-0.5
-0.5
100
-0.4
-0.7
7.0
250
-0.55
-1.2
10
250
3.7
600
-0.3
-0.8
-3.0
13
V
V
V
μA
μA
V
V
V
K
Ω
兆赫
pF
I
C
= -50μA ，我
E
=0
I
C
=-1mA,
I
B
=0
I
E
=-50μA，I
C
=0
V
CB
= -50V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
=-1mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
V
CE
= -5V ，我
C
=-0.1mA
V
CE
= -0.2V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-5mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
V
I
（关）输入电压关
V
I
（上）输入电压上
R1
输入电阻
电流增益带宽积
f
T
COB
输出电容
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