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HA143T 参数 Datasheet PDF下载

HA143T图片预览
型号: HA143T
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 495 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HA143T的Datasheet PDF文件第2页  
PNP数字牛逼为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
开关电路,接口电路。
HA143T
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-50V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………-5V
I
C
--Collector
Current………………………………………-100mA
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-92S
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
 
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
-50 
-50 
-5 
 
 
1000 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
V 
V 
V 
I
C
= -10μA ,我
E
=0
I
C
= -0.1mA ,我
B
=0 
I
E
=-50μA,I
C
=0
-0.1  μA 
V
CB
= -40V ,我
E
=0
-0.1  μA 
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-10mA 
 
 
V 
V 
V 
I
C
= -10mA ,我
B
=-0.5mA 
V
CE
= -5V ,我
C
=-0.1mA 
V
CE
= -0.2V ,我
C
=-10mA
V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
(�½��½��½�)
输入过电压
 
(�½��½�)
输入电压
R1
f
T
COB
输入电阻
电流增益带宽积
输出电容
-0.1  -0.3 
-0.4  -0.55  -0.8 
-0.6  -1.0  -2.0 
3.3 
 
 
4.7 
200 
5.5 
6.1 
 
 
Ω
   
MH�½� 
V
CE
=-10V,I
C
=-5mA
�½�F 
V
CB
=-10V,f=1MH�½�