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HA56图片预览
型号: HA56
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内容描述: PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 106 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
PNP S I L I C 0 NT· R一种S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HA56
应用
通用放大器。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-80V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-80V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-4V
I
C
--Collector
Current……………………………………-500mA
TO-92
1―Emitter,E
2―Base,B
3―Collector,
C
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
BV
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
-80
-4
50
50
-0.25
-1.2
-100
-100
50
V
V
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
=-100μA,I
C
=0
V
CE
= -1V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
直流电流增益
V
CE ( SAT )
I
CBO
I
首席执行官
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
电流增益带宽积
V
BE
(上)
基射极电压上
V
V
nA
nA
兆赫
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-100mA
V
CB
= -80V ,我
E
=0
V
CE
= -60V ,我
B
=0
V
CE
=-1V,I
C
=-100mA,
f=100MHz