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汕头华汕电子器件有限公司。
HA94
█
高压晶体管
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………625mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………-400V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………-400V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………-6V
I
C
--Collector
Current……………………………………-300mA
1―Emitter，E
2―Base，B
3―Collector，
C
TO-92
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
CES
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
H
FE（1）
H
FE（2）
H
FE（3）
H
FE（4）
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE （ SAT ）
COB
-400
-400
-6
-100
-100
-1
40
60
45
40
300
V
V
V
nA
nA
μA
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -100μA ，V
BE
=0
I
E
=-10μA，I
C
=0
V
CB
= -300V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
V
CE
=-400V, V
BE
=0
V
CE
= -10V ，我
C
=-1mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-50mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-100mA
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
输出电容
7
-0.5
-0.75
-0.75
V
V
V
pF
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
I
C
= -50mA ，我
B
=-5mA
I
C
= -10mA ，我
B
=-1mA
V
CB
= 20V ，我
E
=0，
F=1MHz
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