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HB123D 参数 Datasheet PDF下载

HB123D图片预览
型号: HB123D
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 106 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
HB123D
应用
电源Amplifie
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
C
=25℃)………………… 10W
V
CBO
--Collector -基地
电压500V ..............................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 400V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压8V
I
C
--Collector
Current…………………………………………1A
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-126ML
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
500
400
8
10
10
10
0.3
65
V
V
V
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=300mA
V
CE
= 5V ,我
C
=500mA
μA
V
CB
= 500V ,我
E
=0
H
FE(1)
直流电流增益
H
FE(2)
直流电流增益
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和电压
V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA