汕头华汕电子器件有限公司。
PNP硅晶体管
HB834
ⅳ.APPLICATIONS ：
低频功率放大器。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
－55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 30W
P
C
--Collector
Dissipation（Ta=25℃）……………………1.5W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage……………………………-60V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压.............................. -60V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压-7V
I
C
--Collector
目前............................................. -3A
IB - 基极电流............................................. -0.5A
TO-220
1―
基地B
2―Collector，C
3发射极，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
－６０
６０
２０
－０．５
－０．７
９
１５０
０．４
１．７
０．５
发射极截止电流
H
FE（1）
直流电流增益
H
FE（2）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE（上）
基射极电压上
f
t
COB
t
ON
t
英镑
t
F
电流增益带宽积
I
C
= -50mA ， I = 0时
B
－１００ μＡ
V
CB
= -60V ，我
E
=0
－１００ μＡ
V
EB
= -7V ，我
C
=0
２００
V
CE
= -5V ，我
C
=-0.5A
－１
－１
Ｖ
Ｖ
V
CE
= -5V ，我
C
=-3A
I
C
= -3A ，我
B
=-0.3A
V
CE
= -5V ，我
C
=-0.5A
Ｖ
ＭＨ�½�
V
CE
= -5V ，我
C
=-0.5A,
�½�Ｆ
V
CB
= -10V ，我
E
=0，f=1ＭＨ�½�
μＳ
μＳ
μＳ
I
B1
= -I
B2
=-0.2A
V
CC
=-30V
输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
█
h
FE
分类
O
６０—１２０
Y
１００—２００
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
