汕头华汕电子器件有限公司。
P N P S I L I C 0 NT· RAN S I S T Ø ř
HBD436
█
应用
中功率线性和开关Applicatione 。
█
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 40W
V
CBO
--Collector -基地
电压.............................. -32V
V
CES
--Collector发射极
电压........................... -32V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压-5V
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... -4A
I
C
--Collector
Current(Pulse)………………………………-7A
I
B
内部BASE
Current(DC)……………………………………-1A
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
█
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极电压维持
收藏家Cuto FF电流
发射基截止电流
收藏家Cuto FF电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CEO ( SUS )
I
CBO
I
EBO
I
CES
H
FE(1)
*H
FE(2)
*H
FE(3)
*V
CE(sat1)
*V
BE(上)
f
T
-32
-100
-1
-100
40
85
50
140
140
-0.2
3
-0.5
-1.1
V
μA
mA
μA
I
C
= -100mA ,我
B
=0
V
CB
= -32V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
=-32V, V
BE
=0
V
CE
= -5V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-500mA
V
CE
= -1V ,我
C
=-2A
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
电流增益带宽积
V
V
兆赫
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
V
CE
=-1V,I
C
=-2A,
IC = -250mA ,V
CE
=-1V
*脉冲测试: PW = 300μS ,占空比= 1.5 %脉冲