汕头华汕电子器件有限公司。
NPN硅
晶体管
HBD681
■应用
中功率线性开关。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
-65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 40W
V
CBO
--Collector -基地
电压100V .................................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压100V ..............................
V
EBO
--Emitter -基地
.......................................电压5V
I
C
--Collector
电流脉冲）
（
…………………………………
6A
I
C
--Collector
目前DC ）
（
……………………………………
4A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………100mA
TO-126F
1―
发射器，E
2―Collector，C
3―Base，B
█ 电参数
（
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
I
CES
*H
FE
V
BE（上）
V
CEO （ SUS ）
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
基射极电压上
集电极 - 发射极电压维持
200
2
500
750
2.5
2.5
100
μA
mA
μA
V
CB
= 100V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
=100V, V
EB
=0
V
CE
= 3V ，我
C
=1.5mA
I
C
= 1.5A ，我
B
=30mA
V
CE
= 3V ，我
C
=1.5A
I
C
= 50mA时我
B
=0
*V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
V
V
*脉冲测试： PW = 300μS ，占空比Cycie = 1.5 ％脉冲
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