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HBDW93C 参数 Datasheet PDF下载

HBDW93C图片预览
型号: HBDW93C
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 141 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HBDW93C的Datasheet PDF文件第2页  
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN达林顿晶体管
HBDW93C
应用
Power线性和开关Applicatione 。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 80W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage……………………………100V
V
首席执行官
--Collector发射极
电压100V ..............................
I
C
--Collector
直流(DC) .................................... 12A
I
C
--Collector
电流脉冲)
………………………………15A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………0.2A
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
集电极 - 发射极电压维持
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CEO ( SUS )
I
首席执行官
I
EBO
I
CBO
H
FE(1)
H
FE(2)
H
FE(3)
V
CE(sat1)
V
CE(sat2)
V
BE(sat1)
V
BE(sat2)
100
1
2
100
1000
750
100
20000
2
3
2.5
4
V
mA
mA
μA
I
C
= 100mA时我
B
=0
V
CE
= 100V ,我
B
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CB
= 100V ,我
E
=0
V
CE
= 3V ,我
C
=3A
V
CE
= 3V ,我
C
=5A
V
CE
= 3V ,我
C
=10A
集电极截止电流
发射基截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
V
V
V
V
I
C
= 5A ,我
B
=20mA
I
C
= 10A ,我
B
=100mA
I
C
=5A,I
B
=20mA
I
C
=10A,I
B
=100mA