汕头华汕电子器件有限公司。
HBS170
N沟道增强型网络场效晶体管
█
概述
这些产品的目的是为了最大限度地减少通态电阻
同时提供坚固，可靠，快速的开关性能。他们
能够用于需要高达500mA的直流大多数应用中使用。这些
产品特别适用于低电压，低电流的应用
如小的伺服电机控制，功率MOSFET的栅极驱动器，和
其他开关应用。
TO-92
1- D
2-G
3-S
█
特点
高密度电池设计低RDS（ON ） 。
电压控制的小信号开关。
坚固可靠。
高饱和电流能力。
█
最大额定值
（Ta=25
℃
除非另有规定编）
T
英镑
--storage
温度------------------------------------------------- -----
-55~150℃
T
j
■工作
结温----------------------------------------------
-55~150℃
V
DSS
——
漏源电压---------------------------------------------- ------------ 60V
V
DGR
——
漏，栅极电压（R
GS
≤1MΩ)
---------------------------------------------------------
V
GSS
——
栅源电压---------------------------------------------- --------------------------
I
D
——
漏电流（连续） --------------------------------------------- -------------------
P
D
——
最大功率耗散
------------------------------------------------------------
60V
±
20V
500mA
0.83W
█
电气特性
（Ta=25
℃
除非另有规定编）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
项
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏，正向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 打开时间
打开 - 关闭时间
320
24
17
7
分钟。
60
0.5
10
0.8
3.0
5
40
30
10
10
10
典型值。
马克斯。
单位
V
uA
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=100uA
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
GS
=15V , V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=200mA
V
DS
= 10V ，我
D
=200mA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
V
DD
= 25 V，I
D
= 200毫米的，
V
GS
= 10 V ，R
根
= 25
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
nS
nS
g
FS
西塞
科斯
CRSS
吨
花花公子
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