汕头华汕电子器件有限公司。
HBT139F-600
绝缘型双向可控硅( TO- 220F封装)
█
特点
*重复峰值断态电压: 600V
* R.M.S通态电流(I
T( RMS )
=16A)
*高换向dv / dt的
*绝缘电压(V
ISO
= 1500V AC)
█
概述
该器件是完全隔离的包适用于交流开关应用,
相位控制中的应用,如风扇转速与温度调制
控制,照明控制和静态开关继电器。
TO-220F
1
2
█
绝对最大额定值
(T
a
=25℃)
3
T
英镑
--storage
温度...........................................................................
-40~150℃
T
j
■工作
结温
…………………………………………………… -40~125℃
P
GM
高峰
门功耗5W ...........................................................................
V
DRM
--Repetitive
峰值断态电压600V ..................................................................
I
T
(
RMS
) - R.M.S
通态电流( TC = 41 ℃ ) ......................................................... 16A
V
GM
高峰
栅极电压10V .......................................................................................
I
GM
高峰
栅电流2.0A .......................................................................................
I
TSM
■浪涌
通态电流(一个周期, 50 / 60赫兹,峰值,非重复性)
…………………
145/155A
( R.M.S )
A.C.1minute)
………………………………………1500V
V
ISO
■隔离
击穿电压
█
电气特性
(T
a
=25℃)
符号
I
DRM
V
TM
I+
GT1
I-
GT1
I-
GT3
V+
GT1
V-
GT1
V-
GT3
V
GD
( dv / dt的)C
I
H
RTH (J -C )
项
重复峰值断态电流
峰值通态电压
门极触发电流( Ⅰ )
门极触发电流( Ⅰ )
门极触发电流( Ⅰ )
门极触发电压( Ⅰ )
门极触发电压( Ⅰ )
门极触发电压( Ⅰ )
非触发栅极电压
崛起的断态临界速率
电压整流
保持电流
热阻
0.2
10
20
3.5
民
最大
2.0
1.6
25
25
25
1.5
1.5
1.5
单位
mA
V
mA
mA
mA
V
V
V
V
V / μs的
mA
℃/W
结到外壳
条件
V
D
=V
DRM
,单相半
波,T
J
=125℃
I
T
= 20A ,研究所。测量
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
V
D
= 6V ,R
L
= 10欧姆
T
J
=125℃,V
D
=1/2V
DRM
T
J
=125℃,V
D
=2/3V
DRM
(di/dt)c=-6A/ms