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HBT151 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HBT151
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内容描述: 可控硅整流器 [Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 4 页 / 998 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
 
HBT151
可控硅整流器
█特点
*重复峰值断态电压: 600V
* R.M.S通态电流(I
T( RMS )
=12A)
*平均通态电流(I
T( AV )
=7.5A)
*非隔离型
 
 
General
描述
钝化的晶闸管在一个塑料外壳,用于在使用中
要求高的双向阻断电压的应用
能力和高的热循环性能。典型应用
包括马达控制,工业和家用照明,取暖和静
切换。
 
绝对最大额定值
(T
a
=25
 �½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½�) 
                   
 
 
 
 
T
S T摹
--storage
温度------------------------------------------------- -----
-40~150℃
T
j
■工作
结温------------------------------------------------ --- 125 ℃
V
DRM
--Repetitive
峰值断态电压--------------------------------------------- ----------------------- 600V
I
T
RMS
) - R.M.S
通态电流(所有的导通角) ----------------------------------------- ----- 12A
I
T( AV )
- 面积达
通态电流(半正弦波:T已
C
= 109 ° ----------------------------------------7.5A
C)
I
TSM
■浪涌
通态电流(1/2周期, 50Hz的正弦波,不重复) -------------------------- 100A
I
2
t
--Circuit
熔断注意事项(T = 10毫秒) ------------------------------------------- ------------------
50A
2
s
P
GM
--Forward
栅极峰值功率耗散(T
a
=25℃) --------------------------------------------------- 5W
P
G( AV )
--Forward
平均门功耗(在任何20 ms周期) ---------------------------- 0.5W
I
FGM
--Forward
栅极峰值电流----------------------------------------------- --------------------------------- 2A
V
RGM
--reverse
峰值栅极电压----------------------------------------------- -------------------------------- 5V