欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HBU406H 参数 Datasheet PDF下载

HBU406H图片预览
型号: HBU406H
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 149 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HBU406H的Datasheet PDF文件第2页  
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HBU406H
应用
高压Swltching 。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ )
……………………………60W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………400V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………200V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………………6V
I
C
--Collector
Current(DC)………………………………………7A
I
CP
--Collector
当前
(脉冲)
……………………………………10A
IB - 基极电流4A ......................................................
TO-220
1―Base,B
2―Collector,
C
3―Emitter,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
I
CES(2)
I
CES(3)
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
关闭时间
10
0.4
10
1
1.2
V
V
兆赫
μS
特征
典型值
最大
5
100
1
1
单位
mA
μA
mA
mA
测试条件
V
CE
=400V, V
EB
=0
V
CE
=250V, V
EB
=0
V
CE
=250V, V
EB
=0
(Tc=125℃)
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
CE
= 1V ,我
C
=5A
I
C
= 5A ,我
B
=0.8A
V
CE
= 5V ,我
C
=0.8A
V
CE
=10V,I
C
=0.5A
I
C
= 5A ,我
B
=0.8A
I
CES(1)
集电极截止电流
t
关闭