汕头华汕电子器件有限公司。
ñ PN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
HC1061
█
应用
低频功率放大器。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
温度..............................
-65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散（T
c
=25℃）…………………… 25W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage……………………………50V
V
首席执行官
--Collector发射极
..............................电压50V
V
EBO
--Emitter -基地
....................................电压4V
I
C
--Collector
目前.......................................... 3.0A
I
CM
--Collector
当前
（峰值）
………………………………
8A
IB - 基极电流0.5A ...................................................
TO-220
1―
基地B
2―Collector，C
3发射极，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 发射极击穿电压
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
50
50
4
100
100
35
35
1.0
1.5
5.0
320
V
V
V
I
C
=50mA,
I
C
=5mA,
I
B
=0
I
E
=0
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
I
E
=5mA，I
C
=0
μA
V
CB
= 25V ，我
E
=0
μA
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 4V ，我
C
=1A
V
CE
= 4V ，我
C
=0.1A
V
V
兆赫
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
V
CE
= 4V ，我
C
=1A
V
CE
= 4V ，我
C
= 0.5A ， F = 1MHz的
发射极截止电流
H
FE（1）
直流电流增益
H
FE（2）
直流电流增益
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
t
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
█
h
FE
分类
A
35—70
B
60—120
C
100—200
D
160—320
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
