NPN数字牛逼为r的S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
开关电路，接口电路。
HC114E
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
E B Ø
② ：辐射源
基极电压连续.................................... 10V
I
C
--Collector
Current……………���……………………-100mA
TO-92S
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE
V
CE （ SAT ）
Ｖ
Ｉ
（�½��½�）
R1
R2/R1
f
T
５０
５０
１９５
３０
０．８
１．０
７．０
０．８
２５０
０．１
１．１
２．０
１０
１．０
２５０
０．１
０．５
３６０
０．３
１．５
Ｖ
Ｖ
I
C
=10μA,
I
C
=0.1mA,
I
E
=0
I =0
B
μＡ
V
CB
= 40V ，我
E
=0
μＡ
V
CE
= 40V ，我
B
=0
μＡ
V
EB
= 5V ，我
C
=0
Ｖ
Ｖ
V
CE
= 5V ，我
C
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
V
CE
= 5V ，我
C
=0.1mA
辐射源
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
Ｉ�½��½��½��½� Ｏ�½� Ｖ�½��½��½��½��½��½�
Ｉ�½��½��½��½� Ｒ�½��½��½��½��½��½��½�
Ｒ�½��½��½��½��½��½��½� Ｒ�½��½��½��½�
电流增益带宽积
Ｖ
Ｉ
（�½��½��½�） Ｉ�½��½��½��½� Ｏ�½��½� Ｖ�½��½��½��½��½��½�
４．０
Ｖ
V
CE
= 0.2V ，我
C
=10mA
１３ Ｋ�½��½��½�
１．２
ＭＨ�½�
V
CE
= -10V ，我
C
=-5mA
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