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HC124E 参数 Datasheet PDF下载

HC124E图片预览
型号: HC124E
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 242 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
NPN数字牛逼为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
 
应用
开关电路,接口电路。
HC124E
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………300mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………50V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
E B Ø
② :辐射源
基极电压连续.................................... 10V
I
C
--Collector
Current………………………………………100mA
1―Emitter,E
2―Collector,C
3―Base,B
TO-92S
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
H
FE
 
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
50 
50 
 
 
70 
56 
 
0.8 
1.0 
15 
0.9 
 
 
 
 
 
 
113 
 
0.1 
1.1 
1.9 
22 
1.0 
250 
3.7 
 
 
V 
V 
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 0.1毫安,我
B
=0 
0.1  μA 
V
CB
= 40V ,我
E
=0
0.5��� μA 
V
CE
= 40V ,我
B
=0
150  μA 
V
EB
= 5V ,我
C
=0
 
 
V
CE
= 5V ,我
C
=5mA 
0.3 
1.5 
3.0 
29 
 
 
1.1   
MH�½� 
�½�F 
V
CE
=10V,I
C
=5mA
V
CB
=10V,f=1MH�½�
V 
V 
V 
I
C
= 10毫安,我
B
=0.5mA 
V
CE
= 5V ,我
C
=0.1mA 
V
CE
= 0.2V ,我
C
=5mA
V
CE ( SAT )
 
集电极 - 发射极饱和电压
(�½��½��½�)
输入过电压
 
(�½��½�)
输入电压
R1
R2/R1
f
T
COB
输入电阻
电阻率
电流增益带宽积
输出电容
K�½��½��½�