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HC2073 参数 Datasheet PDF下载

HC2073图片预览
型号: HC2073
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 145 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
 浏览型号HC2073的Datasheet PDF文件第2页  
NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
HC2073
应用
电视垂直偏转输出。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ )
……………………………25W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………150V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………150V
V
E B Ø
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current……………………………………………1.5A
TO-220
1―Base,B
2―Collector,
C
3―Emitter,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
I
CBO
I
EBO
f
T
COB
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
电流增益带宽积
输出电容
4
50
150
150
5
40
75
140
1
10
10
V
μA
μA
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
测试条件
I
C
= 500μA ,我
E
=0
I
C
=10mA,
I
B
=0
I
E
=500μA,I
C
=0
V
CE
= 10V ,我
C
=500mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CB
= 120V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
V
CE
=10V,I
C
=500mA
V
CB
= 10V ,我
E
=0,f=1MHz