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HC2344 参数 Datasheet PDF下载

HC2344图片预览
型号: HC2344
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 230 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
NPN S I L I C 0 N晶体管
HC2344
应用
高压开关,自动对焦功率放大器。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-55~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 25W
V
CBO
--Collector -基地
电压180V ..............................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 160V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage…………………………………6V
I
C
--Collector
目前DC )
………………………………
1.5A
I
CP
--Collector
Current(Pulse)……………………………3A
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
特征
典型值
最大
单位
测试条件
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
COB
f
T
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射基截止电流
180
160
6
10
10
60
0.3
23
100
0.15
0.48
0.81
200
1.0
1.5
V
V
V
μA
μA
V
V
pF
兆赫
μS
μS
μS
I
C
=1mA,
I
C
=1mA,
I
E
=0
I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
V
CB
= 120V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=300mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
=5V,I
C
=10A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
V
CE
=10V,I
C
=50mA,
请参阅特定网络版测试电路
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极电压
输出电容
电流增益带宽积
开启时间
下降时间
贮存时间
t
on
t
f
t
英镑
h
FE
分类
D
60—120
E
100—200