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HC4054 参数 Datasheet PDF下载

HC4054图片预览
型号: HC4054
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 247 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
   
汕头华汕电子器件有限公司。
NPN达林顿晶体管
HC4054
ⅳ.APPLICATIONS :
开关电源。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
T
英镑
--storage
温度..............................
-65~150℃
T
j
--Junction
....................................温度150 ℃
P
C
--Collector
耗散(T
c
=25℃)…………………… 30W
V
CBO
--Collector -基地
电压600V ..............................
V
首席执行官
--Collector发射极
电压........................... 450V
V
EBO
--Emitter -基地
电压7V ....................................
I
C
--Collector
目前............................................. 5A
I
B
内部BASE
Current……………………………………………2A
 
TO-220
1―
基地B
2―Collector,C
3发射极,E
电气特性(T
a
=25℃)
符号
 
特征
 
集电极 - 发射极电压维持
收藏家Cuto FF电流
发射基截止电流
 
收藏家Cuto FF电流
 
典型值
 
最大
 
单位
 
测试条件
 
BV
CEO ( SUS )
I
CBO
I
EBO
 
I
首席执行官
H
FE(1)
 
H
FE(2)
V
CE(sat1)
 
V
BE ( SAT )
 
f
T
t
ON
t
英镑
t
F
450 
 
 
 
10 
5 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
20
 
 
 
 
0.1 
0.1 
0.1 
 
 
1 
1.5 
0.5 
2 
0.2 
V 
�½�A 
�½�A 
�½�A 
 
 
V 
I
C
= 100mA时我
B
=0 
V
CB
= 600V ,我
E
=0
V
EB
= 7V ,我
C
=0 
V
CE
= 450V ,我
B
=0
V
CE
= 5V ,我
C
=2.5A 
V
CE
= 5V ,我
C
=1mA
I
C
= 2.5A ,我
B
=0.5A 
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
开启时间
贮存时间
下降时间
V 
I
C
= 2.5毫安,我
B
=0.5A 
兆赫V
CE
= 10V IC = 0.5A ,
μS 
μS 
μS 
Ic=2.5A,
I
B1
= 0.5A我
B2
=1A
V
BB2
=4V,R
L
=60
Ω