NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
高压高速开关。
HC4242S
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绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ ）
（
……………………………75W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………700V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………400V
V
E B Ø
——
发射极 - 基极电压.................................... 9 V
I
C
--Collector
Current（DC）………………………………………4A
I
C
--Collector
Current（Pulse）……………………………………8A
IB - 基极电流................................................... 2毫安
1―Base，B
2―Collector，
C
3―Emitter，E
TO-220
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
BV
首席执行官
I
EBO
H
FE（2）
V
CE(sat1)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE(sat2)
Collector- Emitter Saturation Voltage���
V
CE(sat3)
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE(sat1)
基射极饱和电压
V
BE(sat2)
基射极饱和电压
COB
f
T
t
ON
t
英镑
t
R
输出电容
电流增益带宽积
开启时间
存储
时间
上升时间
特征
集电极 - 发射极击穿电压
发射极截止电流
最小典型最大单位
４００
１０
８
４
６５
１．０
４０
４０
０．５
０．６��
１
１．２
１．６
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
Ｖ
测试条件
I
C
= 10毫安，我
B
=0
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
V
CE
= 5V ，我
C
=2A
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
I
C
= 2A ，我
B
=0.5A
I
C
= 4A ，我
B
=1A
I
C
= 1A ，我
B
=0.2A
I
C
= 2A ，我
B
=0.5A
�½�Ａ
V
EB
= 9V ，我
C
=0
H
FE（1）
直流电流增益
�½�Ｆ
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=0.1ＭＨ�½�
ＭＨ�½�
V
CE
= 10V ，我
C
=0.5A
Vcc=125V，I
C
=2A，
I
B1
= I
B2
=0.4A
０．８ μＳ
４ μＳ
０．９ μＳ
█
h
FE
分类
H1
H2
H3
H4
H5
１０—１６ １４—２１ １９—２６ ２４—３１ ２９—４０
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
