NPN S I L I C 0 NT·为R n a S I S T Ø ř
汕头华汕电子器件有限公司。
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应用
高电压电源开关切换应用程序。
HC5039
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-65 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
散热TC = 25 ℃ ）
（
……………………………70W
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………800V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………400V
V
E B Ø
——
发射极 - 基极电压.................................... 7 V
I
C
--Collector
Current（DC）………………………………………5A
I
CP
--Collector
当前
（脉冲）
……………………………………10A
IB - 基极电流
………………………………………………3A
TO-220
1―Base，B
2―Collector，
C
3―Emitter，E
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
*直流电流增益
最小典型最大单位
８００
４００
７
１０
１０
１０
１０
１．５
２．０
４０
１
３
Ｖ
Ｖ
Ｖ
测试条件
I
C
=1mA,
I
C
=5mA,
I =0
E
I =0
B
I
E
=1mA，I
C
=0
μＡ
V
CB
= 500V ，我
E
=0
μＡ
V
EB
= 7V ，我
C
=0
Ｖ
Ｖ
V
CE
= 5V ，我
C
=0.3A
I
C
= 2.5A ，我
B
=0.5A
I
C
= 2.5A ，我
B
=0.5A
V
CE （ SAT ）
*集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
*基射极饱和电压
f
T
COB
t
ON
t
英镑
t
F
电流增益带宽积
输出电容
启动时间
存储
下降时间
时间
ＭＨ�½�
V
CE
= 5V ，我
C
=0.1A
�½�Ｆ
V
CB
=10V, f=1ＭＨ�½�
μＳ
μＳ
Vcc=150V，Ic=2.5A，
Ib1=-Ib2=0.5A，R
L
=60Ω
０．８ μＳ
*
Pulse Test：PW≤300μ�½�，Ｄ�½��½��½� �½��½��½��½��½�≤2% Pulse
HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
