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HCF10C60 参数 Datasheet PDF下载

HCF10C60图片预览
型号: HCF10C60
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内容描述: 可控硅整流器 [Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 3 页 / 97 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
 
HCF10C60
可控硅整流器
█特点
*重复峰值断态电压: 600V
* R.M.S通态电流(I
T( RMS )
=10A)
*低导通电压( 1.4V (典型值) @我
TM
)
*非隔离型
 
 
General
描述
标准栅极触发可控硅适合于应用程序,其中
要求高的双向阻断电压能力,也
适合过电压保护器,马达控制cicuit电力
工具,浪涌电流限制电路和加热控制系统。
 
绝对最大额定值
(T
a
=25
 �½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½� �½��½��½��½��½��½��½��½��½�) 
                   
 
 
 
 
T
S T摹
--storage
温度------------------------------------------------- -----
-40~125℃
T
j
■工作
结温----------------------------------------------
-40~125℃ 
V
DRM
--Repetitive
峰值断态电压--------------------------------------------- ----------------------- 600V
I
T
RMS
) - R.M.S
通态电流( 180°
导通角) ---------------------------------------- 10A
I
T( AV )
- 面积达
通态电流(半正弦波:T已
C
= 111 ° ----------------------------------------6.4A
C)
I
TSM
■浪涌
通态电流(1/2周期, 60Hz的正弦波,不重复) -------------------------- 110A
余吨
--Circuit
熔断注意事项(T = 8.3ms的) ------------------------------------------ ------------------
2
 
 
 
 
 
60A s
5W
2
P
GM
--Forward
栅极峰值功率耗散(T
a
=25℃) ---------------------------------------------------
P
G( AV )
--Forward
平均门功耗(T
a
=25℃,�½�=8.3�½��½�) ---------------------------------0.5W
I
FGM
--Forward
栅极峰值电流----------------------------------------------- --------------------------------- 2A
V
RGM
--reverse
峰值栅极电压----------------------------------------------- -------------------------------- 5V