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型号: HCN2C60
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内容描述: 可控硅整流器 [Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用: 可控硅整流器
文件页数/大小: 3 页 / 175 K
品牌: HUASHAN [ SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD ]
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汕头华汕电子器件有限公司。
HCN2C60
可控硅整流器
特点
*重复峰值断态电压: 600V
* R.M.S通态电流(I
T( RMS )
=1.5A)
*低导通电压( 1.2V (典型值) @我
TM
)
概述
敏感触发可控硅适合于应用程序,其中
栅极电流的限制,例如小型电动机的控制,栅极驱动器
对于大型可控硅,传感和检测电路。
绝对最大额定值
(T
a
=25
除非另有规定编)
T
S T摹
--storage
温度------------------------------------------------- -----
-40~125℃
T
j
■工作
结温----------------------------------------------
-40~125℃
V
DRM
--Repetitive
峰值断态电压--------------------------------------------- ----------------------- 600V
I
T
RMS
) - R.M.S
通态电流( 180°导通角) ----------------------------------------- -1.5A
I
T( AV )
- 面积达
通态电流(半正弦波:T已
C
= 45 ° C) ---------------------------------------- 1.0A
I
TSM
■浪涌
通态电流(1/2周期, 60Hz的正弦波,不重复) -------------------------
I
2
t
--Circuit
熔断注意事项(T = 8.3ms的) ------------------------------------------ -----------------
P
GM
--Forward
栅极峰值功率耗散(T
a
=25℃) ---------------------------------------------------
15A
2W
0.9A
2
s
P
G( AV )
--Forward
平均门功耗(T
a
= 25 ℃ , T = 8.3ms的) --------------------------------- 0.1W
I
FGM
--Forward
栅极峰值电流----------------------------------------------- --------------------------------- 1A
V
RGM
--reverse
峰值栅极电压----------------------------------------------- -------------------------------- 5V